A：带有限流电阻的上电浪涌电流抑制模块
将功率电子(可以是MOSFET或SCR)与电路封装在一个相对很小的模块中，引出3～4个引脚。整流器上电后最初一段时间，外接限流电阻抑制上电浪涌电流，上电浪涌电流结束后，模块导通将限流电阻短路，很显然上电浪涌电流峰值被有效抑制，这种上电浪涌电流抑制模块需外接一限流电阻，我觉得用起来很不方便。楼主设计的西宁箱式变压器这个有电阻的势必要损耗额外的西宁箱式变压器功率。
B：无限流电阻的上电浪涌电流抑制模块
无限流电阻的上电浪涌电流抑制模块，其思路是将电路设计成线形恒流电路。实际电路会由于两极放大的高增益而出现自激振荡现象，但不影响电路工作。从原理上讲，这种电路是可行的，但在使用时则有如下问题难以解决：如220V输入的400W西宁箱式变压器的上电电流至少需要达到4A，如上电时刚好是电网电压峰值，则电路将承受4×220×=1248W的功率。不仅远超出IRF840的125W额定耗散功率，也远超出IRFP450及IRFP460的 150W额定耗散功率，我没用用过这样的模块做过西宁箱式变压器防浪。我做得都是小功率的。您这个我估计如果按这个设计的话。管http://kunming.tjsdtl.com/功率是个问题。不过可以参考下。从性价的角度讲即使是APT的线性MOSFET也只有450W的额定耗散功率。因此，如采用IRF840或IRFP450的结果是，MOSFET仅能承受有限次数的上电过程便可能被热击穿，而且从成本上看，IRF840的价格可以接受，而IRFP450及IRFP460则难以接受，APT的线性 MOSFET更不可能接受。这些只是我的计算结论。实际应该比这个稍微乐观些。浪涌电流达不到我说的这个程度。
